SI2337DS-T1-E3介绍：

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 2.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 17 nC

最小工作温度: - 50 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.45 mm  

长度: 2.9 mm  

系列: SI2  

晶体管类型: 1 P-Channel  

宽度: 1.6 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 4.3 S  

下降时间: 12 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 15 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 20 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns  

零件号别名: SI2337DS-E3  

单位重量: 8 mg

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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