NTZD3155CT5G介绍：

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-563-6

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 540 mA

Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms, 900 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 6 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 mW

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

高度: 0.55 mm  

长度: 1.6 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

宽度: 1.2 mm  

商标: ON Semiconductor  

下降时间: 4 ns, 12 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4 ns, 12 ns  

工厂包装数量: 8000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 16 ns, 35 ns  

典型接通延迟时间: 6 ns, 10 ns  

单位重量: 3 mg

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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