IRF630N介绍：

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 9.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 23.3 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 82 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 15.65 mm  

长度: 10 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.4 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 4.9 S  

下降时间: 15 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 14 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 27 ns  

典型接通延迟时间: 7.9 ns  

零件号别名: SP001564792  

单位重量: 6 g  

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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