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XC7K325T-2FFG900I
EP4CE75F29C8N
系列
BIMOSFET™
零件状态
*
IGBT 类型
-
配置
全桥
电压 - 集射极击穿(最大值)
3000V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
34A
功率 - 最大值
150W
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
3.2V @ 15V,20A
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
表面贴装
封装/外壳
24-SMD 模块(9 引线)
供应商器件封装
SMPD
标准包装
20